百年诺奖
高性能硅单光子探测器采用硅雪崩二极管作为核心器件,可对单个光子进行计数,实现对极微弱目标信号的探测。探测波长范围为300-1100nm,在800nm波段探测效率超过65%,暗计数100-500cps。
高性能硅单光子探测器采用硅雪崩二极管作为核心器件,可对单个光子进行计数,实现对极微弱目标信号的探测。探测波长范围为300-1100nm,在800nm波段探测效率超过65%,暗计数100-500cps。
产品亮点
产品亮点
应用领域
应用领域
技术参数
JZAPD-PC-02
| 性能参数 | |||
|
探测波长范围 300-1100nm |
暗计数 100~500cps |
探测效率 >65%@810nm |
饱和计数 ~10Mcps |
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结构参数 |
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尺寸 110×86×33mm³ |
输入电压 12V |
输入电流 400mA |
输出电压 0-3.3V |
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脉冲输出接口 LEMO/SMA |
光输入接口 FC/PC |
![]() |
|
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环境参数 |
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工作温度范围 25±5℃ |
工作湿度范围 20~80%RH |
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技术参数
JZAPD-PC-02
| 性能参数 | |||
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探测波长范围 300-1100nm |
暗计数 100~500cps |
探测效率 >65%@810nm |
饱和计数 ~10Mcps |
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结构参数 |
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尺寸 110×86×33mm³ |
输入电压 12V |
输入电流 400mA |
输出电压 0-3.3V |
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脉冲输出接口 LEMO/SMA |
光输入接口 FC/PC |
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工作温度范围 25±5℃ |
工作湿度范围 20~80%RH |
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