高性能硅单光子探测器

探测波长范围为300-1100nm

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高性能硅单光子探测器
探测波长范围为300-1100nm
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高性能硅单光子探测器采用硅雪崩二极管作为核心器件,可对单个光子进行计数,实现对极微弱目标信号的探测。探测波长范围为300-1100nm,在800nm波段探测效率超过65%,暗计数100-500cps。

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探测波长范围为300-1100nm

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探测波长范围为300-1100nm
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高性能硅单光子探测器采用硅雪崩二极管作为核心器件,可对单个光子进行计数,实现对极微弱目标信号的探测。探测波长范围为300-1100nm,在800nm波段探测效率超过65%,暗计数100-500cps。

产品亮点

  • 高探测效率
  • 低暗计数
  • 可靠性高
  • 稳定性紧凑布局,便于集成

产品亮点

 

 

 

 

 

 

 

  • 高探测效率
  • 低暗计数
  • 可靠性高
  • 稳定性紧凑布局,便于集成

应用领域

量子通信

量子计算

测量与定位:量子测量、激光测距、天文观测

成像与检测:单光子成像、荧光检测

应用领域

 

 

 

 

 

 

量子通信

 

 

 

 

 

 

量子计算

 

 

 

 

 

 

测量与定位:量子测量、激光测距、天文观测

 

 

 

 

 

 

成像与检测:单光子成像、荧光检测

技术参数

性能参数      

探测波长范围

300-1100nm

暗计数

100~500cps

探测效率

>65%@810nm

饱和计数

~10Mcps

结构参数

 

 

 

尺寸

110×86×33mm³

输入电压

12V

输入电流

400mA

输出电压

0-3.3V

脉冲输出接口

LEMO/SMA

光输入接口

FC/PC

环境参数

 

工作温度范围

25±5℃

工作湿度范围

20~80%RH

 

技术参数

性能参数      

探测波长范围

300-1100nm

暗计数

100~500cps

探测效率

>65%@810nm

饱和计数

~10Mcps

结构参数

 

 

 

尺寸

110×86×33mm³

输入电压

12V

输入电流

400mA

输出电压

0-3.3V

脉冲输出接口

LEMO/SMA

光输入接口

FC/PC

环境参数

 

工作温度范围

25±5℃

工作湿度范围

20~80%RH

 

服务体系

售前咨询

  • 提供专业的售前咨询服务,帮助客户理解产品特性与优势
  • 提供技术支持,解答客户关于产品技术细节和性能的疑问

定制化解决方案

  • 提供定制化的解决方案,确保产品能够最大化满足客户应用需求

安装与调试

  • 根据客户需求,提供现场或远程的安装指导与调试服务,确保设备顺利运行

售后与维护

  • 提供快速响应的售后服务,解决客户在使用过程中遇到的问题
  • 提供定期维护服务,确保产品性能和稳定性
  • 维保期内免费维修
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